APTSM120AM55CT1AG

Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

Analog & Leistungselektronik

SIC 2N-CH 1200V 74A SP1

AktivSP1Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
Basis-TeilenummerAPTSM120
Konfiguration2 N-Channel (Dual), Schottky
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs272nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120pF @ 1000V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc)
Power - Max470W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP1
Hersteller-GehäuseSP1

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)