APTM60A23FT1G

Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

ObsoletSP1Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs276mOhm @ 17A, 10V
Basis-TeilenummerAPTM60
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5316pF @ 25V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max208W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP1
Hersteller-GehäuseSP1

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)