APTM20DUM10TG

Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

ObsoletSP4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
Basis-TeilenummerAPTM20
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700pF @ 25V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
VerpackungBulk
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175A
Power - Max694W

Mechanisch

Package / CaseSP4
Hersteller-GehäuseSP4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)