APTM100A12STG

Microsemi Corporation

APTM100A12STG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 1000V 68A SP3

AbgekündigtSP3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 34A, 10V
Basis-TeilenummerAPTM100
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs616nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17400pF @ 25V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
Product StatusDiscontinued at
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68A
Power - Max1250W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP3
Hersteller-GehäuseSP3

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)