APTGT75A170D1G

Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Analog & Leistungselektronik

IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1

ObsoletD1Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

KonfigurationHalf Bridge
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce6.5 nF @ 25 V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorNo
VerpackungBulk
TeilestatusObsolet
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 75A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Power - Max520 W

Mechanisch

Package / CaseD1
Hersteller-GehäuseD1