APTC90DAM60CT1G

Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

ObsoletSP1Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 100 V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C59A (Tc)
Max. Verlustleistung462W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP1
Hersteller-GehäuseSP1

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)