APTC60DAM24CT1G

Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 95A SP4

ObsoletSP4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 47.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14400 pF @ 25 V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C95A (Tc)
Max. Verlustleistung462W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP4
Hersteller-GehäuseSP4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)