APT70GR65B2SCD30

Microsemi Corporation

APT70GR65B2SCD30

Analog & Leistungselektronik

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerAPT70GR65
Gate Charge305 nC
IGBT TypeNPT
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Td (on/off) @ 25°C19ns/170ns
Test Condition433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 70A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)134 A
Current - Collector Pulsed (Icm)260 A
Power - Max595 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseT-MAX™ [B2]

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)