APT50M80B2VRG

Microsemi Corporation

APT50M80B2VRG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

ObsoletTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 29A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs423 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8797 pF @ 25 V
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SeriePOWER MOS V®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäuseT-MAX™ [B2]