Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 700 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-247-3 |