Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
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| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 20 V |
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
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| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 175W (Tc) |
| Gehäuse | Bulk |
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| Package / Case | D-3 Module |
| Hersteller-Gehäuse | D3 |
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
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