Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Product Status | Discontinued at |
| Transistor Type | PNP |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Gain | 25dB |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-72-3 Metal Can |
| Hersteller-Gehäuse | TO-72 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|