Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N2221 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 650 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD |
| Hersteller-Gehäuse | 4-SMD |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|