MT58V1MV18DT-7.5

Micron Technology Inc

MT58V1MV18DT-7.5

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Aktiv100-LQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM
Zugriffszeit4.2 ns
Basis-TeilenummerMT58V1MV18
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSYNCBURST™

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization1M x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case100-LQFP
Hersteller-Gehäuse100-TQFP (14x20.1)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)