MT58L512Y32DT-6

Micron Technology Inc

MT58L512Y32DT-6

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Aktiv100-LQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerMT58L512Y32
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSYNCBURST™

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization512K x 32

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case100-LQFP
Hersteller-Gehäuse100-TQFP (14x20.1)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)