MT58L512L18FF-10

Micron Technology Inc

MT58L512L18FF-10

Speicher & Storage

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Standard
Zugriffszeit10 ns
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSYNCBURST™

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz66 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)