MT58L256V18F1T-10

Micron Technology Inc

MT58L256V18F1T-10

Speicher & Storage

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP

Aktiv100-LQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-TeilenummerMT58L256V18
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSYNCBURST™

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz66 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.6V
Memory Organization256K x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case100-LQFP
Hersteller-Gehäuse100-TQFP (14x20.1)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)