MT58L1MY18FF-7.5

Micron Technology Inc

MT58L1MY18FF-7.5

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous
Basis-TeilenummerMT58L1MY18
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSYNCBURST™

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz113 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization1M x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)