MT57W512H36JF-4

Micron Technology Inc

MT57W512H36JF-4

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - DDR2
Zugriffszeit4 ns
Basis-TeilenummerMT57W512H
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz250 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512K x 36

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)