MT57W512H36BF-7.5

Micron Technology Inc

MT57W512H36BF-7.5

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - DDR2
Zugriffszeit7.5 ns
Basis-TeilenummerMT57W512H
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512K x 36

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)