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MT57V512H36AF-7.5

Micron Technology Inc

MT57V512H36AF-7.5

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous
Zugriffszeit3.6 ns
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceHSTL
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 36

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)

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