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MT55V512V36PF-6

Micron Technology Inc

MT55V512V36PF-6

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous, ZBT
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerMT55V512V
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieZBT®

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung2.375V ~ 3.465V
Memory Organization512K x 36

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)

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Prüfung erforderlich

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