MT55V512V36FT-10

Micron Technology Inc

MT55V512V36FT-10

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP

Aktiv100-LQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, ZBT
Zugriffszeit7.5 ns
Basis-TeilenummerMT55V512V
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieZBT®

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz100 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization512K x 36

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case100-LQFP
Hersteller-Gehäuse100-TQFP (14x20.1)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)