MT55L512L18FF-11

Micron Technology Inc

MT55L512L18FF-11

Speicher & Storage

IC SRAM 8MBIT PAR 90MHZ 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, ZBT
Zugriffszeit8.5 ns
Basis-TeilenummerMT55L512L
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieZBT®

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz90 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization512K x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)