MT55L128L32F1T-10

Micron Technology Inc

MT55L128L32F1T-10

Speicher & Storage

IC SRAM 4MBIT PAR 100TQFP

Aktiv100-LQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - ZBT
Zugriffszeit7.5 ns
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieZBT®

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz100 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization128K x 32

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case100-LQFP
Hersteller-Gehäuse100-TQFP (14x20.1)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)