MT54W2MH8BF-6

Micron Technology Inc

MT54W2MH8BF-6

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous
Zugriffszeit500 ps
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieQDR®

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceHSTL
Taktfrequenz167 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization2M x 8

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)