MT54W2MH8BF-5

Micron Technology Inc

MT54W2MH8BF-5

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous
Zugriffszeit450 ps
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
SerieQDR®

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceHSTL
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization2M x 8

Mechanisch

Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)