MT54W1MH18BF-5

Micron Technology Inc

MT54W1MH18BF-5

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Quad Port, Synchronous
Basis-TeilenummerMT54W1MH
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieQDR™

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization1M x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)