Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchronous |
| Zugriffszeit | 2.5 ns |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | QDR™ |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 9Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | HSTL |
| Taktfrequenz | 167 MHz |
| Versorgungsspannung | 2.4V ~ 2.6V |
| Memory Organization | 512K x 18 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 165-TBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 165-FBGA (13x15) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|