MT54V512H18EF-10

Micron Technology Inc

MT54V512H18EF-10

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PAR 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Quad Port, Synchronous
Basis-TeilenummerMT54V512
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieQDR™

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz100 MHz
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)