MT54V512H18E1F-5

Micron Technology Inc

MT54V512H18E1F-5

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieQDR™

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceHSTL
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)