Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 48Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 2.133 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 768M x 64 |
Mechanisch
| Gehäuse | Box |
|---|---|
| Package / Case | 556-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 556-WFBGA (12.4x12.4) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TC) |
|---|