MT53E512M64D2NZ-46 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E512M64D2NZ-46 WT:B

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA

Aktiv376-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerMT53E512
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße32Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization512M x 64

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case376-WFBGA
Hersteller-Gehäuse376-WFBGA (14x14)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C~85°C(TC)