MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA

Aktiv556-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerMT53E512
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße32Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization512M x 64

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case556-TFBGA
Hersteller-Gehäuse556-TFBGA (12.4x12.4)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C~85°C(TC)