Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Basis-Teilenummer | MT53E512 |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 16Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 2.133 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 512M x 32 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 200-TFBGA (10x14.5) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C~95°C(TC) |
|---|