MT53E384M32D2DS-053 WT:E

Micron Technology Inc

MT53E384M32D2DS-053 WT:E

Speicher & Storage

IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E384
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße12Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz1.866 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization384M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)