MT53E2G32D4DE-046 WT:C

Micron Technology Inc

MT53E2G32D4DE-046 WT:C

Datenblatt

Speicher & Storage

LPDDR4 64G 2GX32 FBGA

Aktiv200-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4X
Zugriffszeit3.5 ns
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße64Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization2G x 32

Mechanisch

GehäuseBox
Package / Case200-TFBGA
Hersteller-Gehäuse200-TFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)