MT53E256M32D2DS-046 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E256M32D2DS-046 WT:B

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E256
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization256M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C~85°C(TC)