MT53E256M16D1DS-046 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E256M16D1DS-046 WT:B

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E256
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization256M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)