MT53E1G64D4NZ-46 WT:C

Micron Technology Inc

MT53E1G64D4NZ-46 WT:C

Speicher & Storage

IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA

Aktiv376-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerMT53E1G64
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße64Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization1G x 64

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case376-WFBGA
Hersteller-Gehäuse376-WFBGA (14x14)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C~85°C(TC)