Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Basis-Teilenummer | MT53E1G64 |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Box |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 18ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Basis-Teilenummer | MT53E1G64 |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Box |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
| Speichergröße | 64Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 2.133 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 1G x 64 |
| Package / Case | 556-TFBGA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 556-WFBGA (12.4x12.4) |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
|---|