MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C

Micron Technology Inc

MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA

Aktiv556-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4X
Zugriffszeit3.5 ns
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungBox
TeilestatusAktiv
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße64Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization1G x 64

Mechanisch

Package / Case556-TFBGA

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
QualificationAEC-Q100