MT53E1G32D2NP-046 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E1G32D2NP-046 WT:B

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E1G32
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße32Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization1G x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C~85°C(TC)