MT53E1G32D2FW-046 WT:B

Micron Technology Inc

MT53E1G32D2FW-046 WT:B

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA

Aktiv200-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerMT53E1G32
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße32Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization1G x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-TFBGA
Hersteller-Gehäuse200-TFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C~85°C(TC)