Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tray |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 32Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 2.133 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 1G x 32 |
Mechanisch
| Package / Case | 200-TFBGA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 200-TFBGA (10x14.5) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |