MT53E128M32D2DS-053 WT:A

Micron Technology Inc

MT53E128M32D2DS-053 WT:A

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E128
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz1.866 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization128M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C~85°C(TC)