MT53E128M16D1DS-053 IT:A

Micron Technology Inc

MT53E128M16D1DS-053 IT:A

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PAR 200WFBGA

Obsolet200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E128
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz1.866 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V
Memory Organization128M x 16

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~95°C(TC)