MT53E128M16D1DS-046 AAT:A

Micron Technology Inc

MT53E128M16D1DS-046 AAT:A

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT 2.133GHZ WFBGA

AktivTraySpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53E128
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization128M x 16

Mechanisch

GehäuseTray

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)