MT53D512M16D1DS-046 WT:D

Micron Technology Inc

MT53D512M16D1DS-046 WT:D

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53D512
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz2.133 GHz
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization512M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C~85°C(TC)