MT53B128M32D1Z00NEC2

Micron Technology Inc

MT53B128M32D1Z00NEC2

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT DIE

AktivSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Basis-TeilenummerMT53B128
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Versorgungsspannung1.1V
Memory Organization128M x 32

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)